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第877章 意想不到的碳纳米管高效集成方法（第2页）

这会所做的，就是尝试性的复制。

碳纳米管能够在瑶池晶的衬底上稳定生长，这意味着什么不用多说。

即衬底材料能够用来，至少其中的某一项物质，能够用来当做碳基芯片的基底。

简单的来说，就是类似于硅基芯片的基底硅片一样，可以让晶体管在上面生长和光蚀雕刻，进而形成集成电路。

而碳基芯片，自然也离不开这种基底。

只不过目前来说，相关的研究只仅仅存在部分实验室里面。

这是高难度的研工作，没有那么容易解决的。

包括现在徐川所进行的复刻实验，也只是人工的将瑶池晶上的衬底材料拆解出来，然后利用cVd管式炉进行碳纳米管的气相沉积生长。

至于生长出来的东西，是否初步具备半导体性质，对于目前的研究来说并不是很重要。

天然生成的矿物，在绝大部分的情况下是不如人工冶炼的。

所以这一次的实验，只不过是想按照瑶池晶的原有材料进行一次复刻，看看能否人工做到将碳纳米管完整有序的叠层排列在衬底上。

这才是最重要的。

就在徐川处理着手中的研究之时，实验室的大门被人推开了。

材料研究所的所长赵光贵拿着一叠厚厚的文件快步走了进来。

“徐院士，完整的分子动力学模拟计算数据出来了。”

“稍等一下，我处理完手上的这些碳纳米管。”

听到赵光贵的汇报，徐川头也没回，有条不紊的将手中的材料处理妥当，最终送进了cVd管式炉后，调整好参数后，设备启动开始实验后，他才将手套和护目镜摘了下来。

一旁，赵光贵快的将分子动力学模拟计算数据递了过来，同时简单的开口道。

“从分子动力学模拟的结果来看，瑶池晶中的碳纳米管是在过至少三百度以上的高温、无氧、高压的环境中形成的。”

“而在形成过程中，瑶池晶中的另一种材料，即材料内部的硫化合物可能起到了催化的作用。”

“硫化物？”

闻言，徐川的脸上闪过了一丝惊讶，他推测过多种可能，也推测过瑶池晶中具有起到催化作用的关键材料，但还真没往硫化物上面去想。

因为在材料学中，硫化物和碳在一定的条件下是比较容易生反应的。

尤其是在高温条件下，碳和硫反应会直接生成二硫化碳，这不仅会破坏原有碳纳米管材料的纯净度，还会造成严重的干扰，因为二硫化碳是液体，在高温下具备较强的流动性。

赵光贵点了点头，道：“嗯，算那边通过对瑶池晶进行分子动力学模拟计算逆推，现瑶池晶有可能在月球的火山喷下，原有初始形态可能是是液态的。”

“在经过流动的时候，二硫化碳和内部的某种硫化物共同引导下，在无氧且高压的环境中，碳纳米管可能会被引导排序，继而在ab-an长石族矿物衬底上沉积，继而构造出整齐排序的碳纳米管阵列.”

一边听着赵光贵的汇报，徐川一边翻阅着手中的模拟计算数据。

从利用算中心+化学材料计算模型对瑶池晶进行的分子动力学模拟计算逆推数据来看，硫化物还真的极有可能是促进碳纳米管稳定有序，整齐排列在ab-an长石族矿物衬底上的关键催化剂。

只不过这一催化剂，有些反科研直觉了。

蹙着眉头，徐川紧盯着分子动力学模拟计算的逆向推测，眼神中带着思索。

这份材料计算数据的确是他从未想过的方向。

如果它才是正确的，就意味着这几天他在实验室中进行的各种复刻实验从最基础就错了。

当然，徐川并不怕自己犯错，只要能找到原因纠正过来就行。

翻阅中手中的数据，他的目光落到了一张瑶池晶的模拟‘材料物相表征图’上面，盯着这种曲线有些熟悉的数据，他总感觉有些莫名的熟悉。

“这种图，有些熟悉的感觉”

一旁，赵光贵凑了过来，看了一眼徐川翻阅的位置，随即在自己手上的模拟计算数据文件上找到了对应的图片。

“这是通过活性评价和密度泛函理论计算模拟推算出来的吧？”